7、厭氧反應的工藝控制條件:
7.1溫度:按三種不同嗜溫厭氧菌(嗜溫5
7.2 PH:厭氧水解酸化工藝,對PH要求范圍較松,即產酸菌的PH應控制4
7.3氧化還原電位:水解階段氧化還原電位為-100~+100mv,產甲烷階段的最優氧化還原電位為-150~-400mv。因此,應控制進水帶入的氧的含量,不能因以對厭氧反應器造成不利影響。
7.4營養物:厭氧反應池營養物比例為C:N:P=(350-500):5:1。
7.5有毒有害物:抑制和影響厭氧反應的有害物有三種:
7.6工藝技術參數:
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